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半導體級SiC合成原料6N超高純度石墨粉 西格里V2298 耐高溫導電

產品概述　
西格里6N超高純度石墨粉是專為第三代半導體碳化硅（SiC）單晶生長研發的核心原料，純度達99.9999%（6N級），嚴格符合半導體行業對痕量雜質（硼、鋁、釩等）的ppm級控制要求。本產品采用德國西格里集團專利提純工藝，結合高溫熱化學處理技術，確保納米級顆粒均勻性（D50≤1μm），適用于物**相傳輸法（PVT）生長高質量SiC晶體，滿足新能源汽車、5G通信、光伏等高端領域需求[[3]。
核心特性　
1. 超高純度與穩定性　
　 通過2700℃高溫提純及多級化學純化工藝，金屬雜質含量低于0.1ppm，氮濃度≤5ppb，**避免SiC晶體電學性能劣化，為制備半絕緣襯底提供可靠保障[[7]。　
2. 耐極端高溫環境　
　 石墨粉在2000~2500℃的SiC晶體生長爐中表現優異，熱膨脹系數低至4.5×10⁻⁶/℃，可長期耐受高溫熔融硅蒸汽環境，確保晶體生長過程穩定性[[6]。　
3. 優異導電與熱導性能　
　 電阻率≤15μΩ·m，熱導率高達120W/(m·K)，適配高頻功率器件對材料導電和散熱需求，廣泛應用于SiC外延片、MOSFET及IGBT芯片制造[[5]。　
應用場景　
- SiC單晶襯底合成：作為PVT法核心碳源，與高純硅粉反應生成SiC微粉，用于4H-SiC導電型及半絕緣型晶圓生產[[4]。　
- 半導體設備關鍵部件：用于制造長晶爐石墨坩堝、加熱器等耐高溫組件，保障設備在極端工況下的使用壽命[[8]。　
工藝與質量認證　
本產品通過ISO 9001質量管理體系認證，符合《碳化硅單晶用高純石墨粉》行業標準（碳含量≥99.9996%），支持定制粒徑（800~15000目）及微量元素控制，滿足客戶差異化需求。　
“現貨直發/支持試樣”；針對科研客戶，可補充“提供XRD、GDMS全項檢測報告”等增值服務。
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